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SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環繞晶體管等器件性能的改進與創新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應用領域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產中，正在推動新的架構、材料和性能的改進。
2022-01-26
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主控芯片CPU/FPGA存儲及單粒子翻轉科普
每一次神舟載人飛船和SpaceX衛星的發射升空，都能吸引眾多人關注。對于這些神秘的航天飛信器，你知道它們的信息都是怎么處理的嗎？航天飛行器信息的處理依靠CPU/FPGA，而指令的執行則憑借存儲器。目前市場上大多數售賣主芯片的廠商都是靠存儲器起家的。
2022-01-25
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如何設計汽車信息娛樂系統電源方案一體化高壓控制器？
汽車信息娛樂系統中包含各種復雜的電子元件組合，例如消費電子元件：高性能微控制器、存儲器、接口和驅動器IC。電源設計也同樣復雜，因為每個元件都可能需要各種具有寬范圍功率要求的低電壓電源軌。這樣的復雜性不僅局限于信息娛樂系統，汽車性能、燃油效率和駕駛員操控的便捷性都需要更加先進的電子系統來實現。
2022-01-12
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術向更高密度、更優性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發展，泛林集團正在探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
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半導體存儲器的發展歷程與當前挑戰
世界上最早的全電子化存儲器是1947年在曼徹斯特大學誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數據的“點”。從那時起，計算機內存開始使用磁存儲技術并經歷了數代演變，相關系統包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅動器和磁泡存儲器。
2021-10-14
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AIoT碎片應用和算力撬動新機遇，兆易創新多元化存儲布局背后邏輯揭秘
在人腦中，海馬體負責記憶相關的重要功能。類似的，在電子系統中，扮演“海馬體”角色的則是存儲器。作為半導體元器件中不可或缺的組成部分，存儲器與數據相伴而生，是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品。數據顯示，2020年全球存儲器收入增加135億美元，占2020年整個半導體市場收入增長的44%。
2021-08-13
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首屆ES SHOW電子展開展在即，主辦方揭秘三大亮點 ！
伴隨著人工智能、5G、物聯網技術等新一代電子信息技術的高速發展，市場對半導體、元器件及信息技術應用的需求也隨之增多，集成電路、芯片、存儲器等產品成為新的國民經濟增長點。
2021-06-24
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無傳感器無刷直流電機控制電路分析
Z16FMC 的外部接口允許無縫連接到外部存儲器和外圍設備。24 位地址總線和可選的 8 位或 16 位數據總線允許并行訪問高達 16 MB。CPU 可訪問高達 128 kB 的內部閃存，每次 16 位，以提高處理器吞吐量。高達 4 kB 的內部 RAM 可用于存儲數據、變量和堆棧操作。
2021-06-23
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兆易創新持續打造豐富行業應用方案，亮相2021慕尼黑上海電子展
中國北京（2021年4月14日） — 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice (股票代碼 603986) 精彩亮相2021慕尼黑上海電子展，重磅展示基于存儲器、MCU和傳感器三大核心產品線的完善解決方案，覆蓋工業、汽車、計算、物聯網、消費電子、移動應用等多個領域，彰顯兆易創新在半導體領域豐富的產品家族、廣泛的行業布局與領先的技術實力。
2021-04-14
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由MOVX指令深入分析51單片機總線時序及擴展
分析了MCS單片機" title="51單片機" target="_blank">51單片機訪問外部存儲器指令MOVX的執行過程，介紹了51系列單片機使用的四要素；分析了51單片機在外部擴展、總線時序、地址譯碼方法重點以及對超過64 KB地址空間訪問的方法。并以實驗室研制的MCS51單片機實驗儀為例，分析了外部空間開展的重要性、方法和原理，給出了單片機系統擴展框圖和地址譯碼表。
2021-02-20
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針對低功耗應用的非易失性電阻式RAM技術
不久前，Dialog半導體公司與格芯（GLOBALFOUNDRIES）簽訂了協議，向其授權導電橋式隨機存取存儲器（Conductive Bridging RAM；CBRAM）技術。CBRAM屬于通用的存儲器技術，應用范圍非常廣，從可穿戴設備到智能手機等。其性能優勢主要體現在低功耗。
2021-02-01
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進入超智能和超互聯的第四次工業革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應存儲信息，存在功耗高、運行速度慢、易重復使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運行速度、功耗和設備可靠性方面都超過了傳統閃存的性能。
2021-01-21
- 開拓環境新時代并為未來鐵路提供支持的電容器
- KNX標準為智能家居提供完善控制方案
- ACF PWM控制器滿足現代AC-DC電源轉換需求
- 基于PN結隔離(JI)技術的驅動芯片簡介及設計指導
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